一种Ta₂O₅/ZnO/HfO₂非对称双异质结发光二极管及其制备方法

摘要

发明公开了一种Ta2O5/ZnO/HfO2非对称双异质结发光二极管及其制备方法。该发光二极管在衬底自下而上依次为HfO2电子阻挡层、本征ZnO有源层、Ta2O5空穴阻挡层和第一电极，第二电极和HfO2电子阻挡层并列沉积在衬底上。采用Ta2O5作为空穴阻挡层，与HfO2电子阻挡层配合作用将载流子限制在ZnO有源层中，能有效地抑制p-GaN衬底侧的发光、提高ZnO有源层的发光强度。Ta2O5/ZnO/HfO2非对称双异质结发光二极管发光峰值波长在680nm附近，半高宽约为150nm。制备工艺简单、成本低廉，易于实现产业化。

主权项

一种Ta2O5/ZnO/HfO2非对称双异质结发光二极管，包括衬底，在衬底自下而上依次有HfO2电子阻挡层（3），本征ZnO有源层（4），Ta2O5空穴阻挡层（5），n型ZnO掺Al薄膜层（6）和第一电极（7），第二电极（8）与HfO2电子阻挡层并列沉积在衬底上。