| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 供了一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：第一栅极图案，设置在基板的外围区域中；第二栅极图案，设置在基板的单元区域中；第一绝缘件，形成在第一栅极图案的侧壁上；以及第二绝缘件，形成在第二栅极图案的侧壁上，其中，第一绝缘件的介电常数与第二绝缘件的介电常数不同，以及其中，第二绝缘件的高度大于第二栅极图案的高度。 | ||
| 申请公布号 | CN103633127A | 申请公布日期 | 2014.03.12 |
| 申请号 | CN201310345516.5 | 申请日期 | 2013.08.09 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李晶粲;李承宰;姜尚范;郭大荣;金明哲;金庸淏 |
| 分类号 | H01L29/423(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/423(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 刘灿强;刘奕晴 |
| 主权项 | 一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一栅极图案，设置在基板的外围区域中；第二栅极图案，设置在基板的单元区域中；第一绝缘件，形成在第一栅极图案的侧壁上；以及第二绝缘件，形成在第二栅极图案的侧壁上，其中，第一绝缘件的介电常数与第二绝缘件的介电常数不同，以及其中，第二绝缘件的高度大于第二栅极图案的高度。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市 | ||