发明名称 | 一种用于在CVD反应腔体中校准硅片位置的方法 | ||
摘要 | 发明公开了一种用于在CVD反应腔体中校准硅片位置的方法,该方法包括:从原点沿第一方向移动硅片,当检测到该硅片的背压大于预定值时,停止移动,并将该移动的距离记录为第一移动距离;将硅片移动回该原点,从该原点沿与第一方向相反的第二方向移动硅片,当检测到该硅片的背压大于该预定值时,停止移动,并将该移动的距离记录为第二移动距离;计算该第一移动距离和该第二移动距离的平均值,即纵向距离平均值;根据该纵向距离平均值确定所述硅片沿相对于CVD反应腔体向内的方向的位置,其中,第一方向和第二方向分别为相对于CVD反应腔体向内的方向和向外的方向中的一个。此校准硅片位置的方法大大简化了调整工序,提高了工作效率。 | ||
申请公布号 | CN103633001A | 申请公布日期 | 2014.03.12 |
申请号 | CN201210307976.4 | 申请日期 | 2012.08.27 |
申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 吕文亮 |
分类号 | H01L21/68(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/68(2006.01)I |
代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
主权项 | 一种用于在CVD反应腔体中校准硅片位置的方法,其特征在于,包括:从原点沿第一方向移动硅片,当检测到所述硅片的背压大于预定值时,停止所述移动,并将所述移动的距离记录为第一移动距离;将所述硅片移动回所述原点,从所述原点沿与所述第一方向相反的第二方向移动硅片,当检测到所述硅片的背压大于所述预定值时,停止所述移动,并将所述移动的距离记录为第二移动距离;计算所述第一移动距离和所述第二移动距离的平均值,即纵向距离平均值;根据所述纵向距离平均值确定所述硅片沿相对于CVD反应腔体向内的方向的位置,其中,所述第一方向和所述第二方向分别为相对于CVD反应腔体向内的方向和向外的方向中的一个。 | ||
地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 |