发明名称 |
等离子体处理装置 |
摘要 |
发明公开了一种等离子体处理装置,其包括:第一处理腔,具有第一墙及由第一墙包围形成的第一处理空间;第二处理腔,具有第二墙及由第二墙包围形成的第二处理空间;设置于第一处理腔与第二处理腔之间的连接件,第一、第二处理腔可拆卸地连接;气体供应系统以及排气系统,包括连通于所述第一处理空间的第一排气通道及连通于所述第二处理空间的第二排气通道,所述第一排气通道与所述第二排气通道相连通。本发明通过将多个处理腔以可拆卸方式进行连接,在实现两腔环境匹配的同时,降低设备的制造及维修成本。 |
申请公布号 |
CN103632998A |
申请公布日期 |
2014.03.12 |
申请号 |
CN201310602849.1 |
申请日期 |
2013.11.22 |
申请人 |
沈阳拓荆科技有限公司 |
发明人 |
凌复华;刘忆军;吴凤丽;姜崴;葛研;郑旭东 |
分类号 |
H01L21/67(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/67(2006.01)I |
代理机构 |
沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 |
代理人 |
甄玉荃 |
主权项 |
一种等离子体处理装置,包括若干处理单元,其特征在于,所述处理单元包括:第一处理腔,具有第一墙及由所述第一墙包围形成的第一处理空间;第二处理腔,具有第二墙及由所述第二墙包围形成的第二处理空间;设置于所述第一处理腔与所述第二处理腔之间的连接件,所述连接件将所述第一、第二处理腔可拆卸地连接;气体供应系统,包括连通于所述第一处理空间的第一气体分配单元及连通于所述第二处理空间的第二气体分配单元;以及排气系统,包括连通于所述第一处理空间的第一排气通道及连通于所述第二处理空间的第二排气通道,所述第一排气通道与所述第二排气通道相连通。 |
地址 |
110179 辽宁省沈阳市浑南新区新源街1-1号三层 |