| 发明名称 | 防止浅沟槽隔离边缘硅接触孔漏电的方法 | ||
| 摘要 | 发明公开了一种防止浅沟槽隔离边缘硅接触孔漏电的方法，在硅接触孔形成以后，采用液态的N型或P型溶液，在N型或P型硅接触孔区域分别掺杂N型或P型离子，以补充在硅接触孔刻蚀中被刻蚀掉的部分。本发明能够有效降低制造成本，而且可以达到更好的防漏电效果。 | ||
| 申请公布号 | CN103633007A | 申请公布日期 | 2014.03.12 |
| 申请号 | CN201210293265.6 | 申请日期 | 2012.08.17 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 刘俊 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 戴广志 |
| 主权项 | 一种防止浅沟槽隔离边缘硅接触孔漏电的方法，其特征在于：在硅接触孔形成以后，用液态的N型或P型溶液，在N型或P型硅接触孔区域分别掺杂N型或P型离子，以补充在硅接触孔刻蚀中被刻蚀掉的部分。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||