| 发明名称 | 相变存储器装置及操作相变存储器装置的方法 | ||
| 摘要 | 发明包括用于操作相变存储器单元的装置和方法。一个或一个以上实施例包括：将编程信号施加到存储器单元的相变材料；以及根据许多特定减量，相继地减小所述所施加的编程信号的尾部的量值。所述许多特定减量的量值和持续时间对应于特定经编程值。 | ||
| 申请公布号 | CN101978427B | 申请公布日期 | 2014.03.12 |
| 申请号 | CN200980110337.5 | 申请日期 | 2009.03.16 |
| 申请人 | 美光科技公司 | 发明人 | 普拉迪帕·拉马尼;约翰·D·波特 |
| 分类号 | G11C13/02(2006.01)I;G11C16/00(2006.01)I | 主分类号 | G11C13/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 宋献涛 |
| 主权项 | 一种用于操作相变存储器装置(620)的方法，其包含：将多级编程信号(440)施加到存储器单元的相变材料(104)；其中所述多级编程信号(440)的第一级(442‑1)用于对与耦合到所述存储器单元的感测线(107‑0、107‑1、107‑M)相关联的电容进行充电，且具有高于所述多级编程信号(440)的尾部(442‑3、560‑1、560‑2)的量值的量值，所述尾部(442‑3、560‑1、560‑2)对应于所述多级编程信号(440)的第三级(442‑3)；以及根据许多特定减量(444、544‑1、544‑2、544‑3、544‑4)而相继地减小所施加的多级编程信号(440)的所述尾部(442‑3、560‑1、560‑2)的量值，所述许多特定减量(444、544‑1、544‑2、544‑3、544‑4)的量值(446、546‑1、546‑3)和持续时间(447、547‑1、547‑2、547‑3、547‑4)对应于特定经编程值(327‑2、328、329)，经由所述装置(620)的可编程组件(325)将所述特定经编程值(327‑2、328、329)提供到所述装置(620)的波形整形组件(350)。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||