存储元件及存储装置

摘要

发明涉及一种能够同时满足重复操作次数和低压操作性能这两种存在平衡制约关系的要求的存储元件。该存储元件在底部电极3和顶部电极6之间具有高电阻层4和离子源层5。高电阻层4由含Te的氧化物制成。除Te之外的任何其它元素，例如Al、Zr、Ta、Hf、Si、Ge、Ni、Co、Cu和Au也可以加入。在向Te中加入Al同时加入Cu和Zr的情况下，高电阻层4的组成比优选地被调整为如下范围：30≤Te≤100原子％，0≤Al≤70原子％，且0≤Cu+Zr≤36原子％，不考虑氧。离子源层5由至少一种金属元素和至少一种选自Te、S和Se的氧族元素制成。

主权项

一种存储元件，其包含在第一电极和第二电极之间的由至少含有Te的氧化物制成的高电阻层、和含有至少一种金属元素和选自Te、S和Se的至少一种氧族元素的离子源层，其中，所述高电阻层含Al，所述高电阻层内Al和Te的含量范围满足：0原子％