| 发明名称 | 一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板及制作方法 | ||
| 摘要 | 发明公开了一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板及制作方法，用以降低TFT-LCD阵列基板的不良率。该制作方法包括：在基板上分别形成栅极线，有源层，薄膜晶体管TFT开关，以及信号线，其中，通过形成所述有源层的构图工艺在交叉区域中形成缓冲层，所述交叉区域包括：与栅极线交叉处的信号线的至少一侧的设定区域；在形成了信号线的基板上形成像素电极。 | ||
| 申请公布号 | CN102629573B | 申请公布日期 | 2014.03.12 |
| 申请号 | CN201110192507.8 | 申请日期 | 2011.07.11 |
| 申请人 | 北京京东方光电科技有限公司 | 发明人 | 沈奇雨;郭建;王玲杰;朱朋举;王德帅 |
| 分类号 | H01L21/77(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/77(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 郭润湘 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：在基板上分别形成栅极线，有源层，薄膜晶体管TFT开关，以及信号线，其中，通过形成所述有源层的构图工艺在交叉区域中形成缓冲层，所述交叉区域包括：与栅极线交叉处的信号线的至少一侧的设定区域，且所述设定区域与相邻的信号线不相交或与相邻的像素电极不相交；在形成了所述信号线的基板上形成像素电极。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区经济技术开发区西环中路8号 | ||