连接件的制造方法

摘要

种连接件的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有多个待连接器件；对所述衬底进行硅离子注入；形成保形覆盖所述待连接器件的停止层；在所述停止层上覆盖绝缘层；图形化所述绝缘层，在所述绝缘层中、位于待连接器件的上方形成开口；向所述开口中沉积第一金属材料，通过退火工艺使第一金属材料转换成为金属硅化物；向所述开口中的金属硅化物上沉积第二金属材料。通过硅离子注入方式使硅衬底和硅衬底上待连接器件表面形成无定形硅，无定形硅可以在退火过程中限定金属硅化物的形貌，避免第一金属材料向硅表面的扩散，避免了连接件电学性能的降低，提高了制造良率。

主权项

一种连接件的制造方法，其特征在于，包括：提供硅衬底，所述硅衬底上形成有多个MOS管，所述MOS管包括位于衬底上的栅极、源区和漏区，所述栅极、源区和漏区为待连接器件；对所述硅衬底进行硅离子注入，在待连接器件的表面形成无定形硅；形成保形覆盖所述表面为无定形硅的待连接器件的停止层；在所述停止层上覆盖绝缘层；图形化所述绝缘层，在所述绝缘层中、位于栅极上方形成第一开口，在所述绝缘层中、位于源区和漏区上方形成第二开口；向所述第一开口和第二开口中沉积第一金属材料，通过退火工艺使第一金属材料转换成为金属硅化物；向所述第一开口和第二开口中的金属硅化物上沉积第二金属材料。