发明名称 一种低损耗铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法
摘要 发明公开了一种低损耗铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法,该无铅压电陶瓷包含钙钛矿型铁电体(K0.5-xNa0.5+x)NbO3、助溶剂LiSbO3以及复合型铁电(磁)体Bi(FetMn1-t)O3。其通式用(1-y-z)(K0.5-xNa0.5+x)NbO3-yLiSbO3-zBi(FetMn1-t)O3来表示,式中0<x<0.5,0<y<0.1,0<z<0.1,0<t<1,通过选取适当的x、y、z和t值及工艺参数,用传统制陶工艺制成新的陶瓷产品。本发明提供的压电材料的优点是:致密性好,介电损耗低,压电性能优良,居里温度高,压电性能热稳定性好,制备工艺稳定,采用传统手段获得;烧结温度较低,约1050~1130℃。
申请公布号 CN102351535B 申请公布日期 2014.03.12
申请号 CN201110197606.5 申请日期 2011.07.15
申请人 桂林电子科技大学 发明人 刘心宇;胡耀斌;江民红;崔业让;杨华斌;马家峰
分类号 C04B35/495(2006.01)I 主分类号 C04B35/495(2006.01)I
代理机构 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司 45112 代理人 巢雄辉
主权项 一种低损耗铌酸钾钠基无铅压电陶瓷,包含钙钛矿型压电体(K0.5‑xNa0.5+x)NbO3、助溶剂LiSbO3,其特征在于:还包括复合型铁电/铁磁体Bi(FetMn1‑t)O3,以Na2CO3,K2CO3,Li2CO3,Sb2O3,Nb2O5,Bi2O3,Fe2O3、MnO2为原料,按照化学式0.951(K0.5Na0.5)NbO3‑0.045 LiSbO3‑0.004 Bi(Fe0.5Mn0.5)O3进行配料,经湿磨、烘干、煅烧、二次球磨、造粒,烧结时以120℃/h的升温速率到600℃保温2h,再以120℃/h的升温速率到830℃保温1h,再以60℃/h升温到1050~1130℃保温1~9h烧结,之后随炉冷却至室温而成,烧结后的样品经双面打磨后镀银,在650℃烧银0.5h后,于70~150℃硅油中极化,极化电场为3~5KV/mm,极化时间为10~20min,自然降温至室温取出而成。
地址 541004 广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号