发明名称 V基低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法
摘要 发明公开了一种V基低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法。该材料由重量百分比为99~100%的LiMg4V3O12和0~1%的低熔点物质组成,其中低熔点物质为Bi2O3,B2O3和BaCu(B2O5)中的一种,通过固相反应,即可得到本发明材料。本发明制备的微波介质陶瓷,其烧结温度低、微波性能优异:Q×f值高,谐振频率温度系数τf小;不和银(Ag)反应,可以采用纯银作为内电极共烧,从而大大降低器件的制造成本,可用于低温共烧LTCC微波基板的制造。
申请公布号 CN103030394B 申请公布日期 2014.03.12
申请号 CN201310029387.9 申请日期 2013.01.27
申请人 桂林理工大学 发明人 陈秀丽;贺芬;周焕福;陈杰;苗雁冰;王玮;方亮
分类号 C04B35/495(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I 主分类号 C04B35/495(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 1.一种V基低温烧结微波介质陶瓷材料,其特征在于所述的低温烧结微波介质材料,由重量百分比为99~100%的LiMg<sub>4</sub>V<sub>3</sub>O<sub>12</sub>和0~1%的低熔点物质组成,低熔点物质的重量百分比不为0,LiMg<sub>4</sub>V<sub>3</sub>O<sub>12</sub>和低熔点物质的重量百分比之和为100%,其中低熔点物质为Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>和BaCu(B<sub>2</sub>O<sub>5</sub>)中的一种;所述的低温烧结微波介质陶瓷材料的制备方法具体步骤为:(1)首先将Li<sub>2</sub>CO<sub>3</sub>、MgO和NH<sub>4</sub>VO<sub>3</sub>按摩尔比Li<sub>2</sub>CO<sub>3</sub>:MgO:NH<sub>4</sub>VO<sub>3</sub>=0.5:4:3配制成主粉体;(2)将步骤(1)配制好的主粉体混合均匀,按照主粉体与酒精的重量比为1:1向主粉体中加入酒精,采用湿磨法混合4~8小时,取出后在120~140℃下烘干,烘干后压制成块状,然后以5℃/min的升温速率将压制的块状主粉体由室温升至800℃~850℃并在此温度下保温2~6小时,制成烧块,即合成主晶相;(3)将步骤(2)制成的烧块粉碎,进行4~8小时球磨,放入烘炉内烘干后加入重量百分比为0~1%的Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>或BaCu(B<sub>2</sub>O<sub>5</sub>),Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>或BaCu(B<sub>2</sub>O<sub>5</sub>)的重量百分比不为0,配成粉料,按照粉料与酒精的体积比为1:1向粉料中加入酒精,放入尼龙罐中球磨6小时后取出,放入烘炉内在120~140℃下烘干,造粒后压制成小圆片,于500~600℃排胶,随炉冷却后得到瓷料,再将瓷料在900~950℃下烧结4小时即得到低温烧结微波介质陶瓷材料;所述Li<sub>2</sub>CO<sub>3</sub>、MgO和NH<sub>4</sub>VO<sub>3</sub>为分析纯;所述BaCu(B<sub>2</sub>O<sub>5</sub>)的制备方法为:将分析纯的Ba(OH)<sub>2</sub>8H<sub>2</sub>O、CuO和H<sub>3</sub>BO<sub>3</sub>按摩尔比1:1:2球磨混合后于800<sup>o</sup>C下保温3小时即得。
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