| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 发明提供一种半导体装置及其制造方法，在不增大漏源极间的泄漏电流的情况下缩短反向恢复时间。该半导体装置具有第一基极层(12)、设置在第一基极层(12)的背面的漏极层(10)、形成在第一基极层(12)的表面的第二基极层(16)、形成在第二基极层(16)的表面的源极层(18)、配置在源极层(18)和第二基极层(16)的表面上的栅极绝缘膜(20)、配置在栅极绝缘膜(20)上的栅极电极(22)、在第二基极层(16)和源极层(18)的下部的第一基极层(12)内与漏极层(10)相对而形成的柱层(14)、设置在漏极层(10)的漏极电极(28)、设置在源极层和第二基极层的源极电极(26)，对柱层(14)进行重粒子束照射以局部形成陷阱能级。 | ||
| 申请公布号 | CN102138206B | 申请公布日期 | 2014.03.12 |
| 申请号 | CN200980133767.9 | 申请日期 | 2009.08.31 |
| 申请人 | 罗姆股份有限公司 | 发明人 | 中岛俊雄 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 岳雪兰 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，具有：高电阻且为第一导电型的第一基极层；设置在所述第一基极层的背面的第一导电型的漏极层；形成在所述第一基极层的表面的第二导电型的第二基极层；形成在所述第二基极层的表面的第一导电型的源极层；配置在所述源极层和所述第二基极层的表面上的栅极绝缘膜；配置在所述栅极绝缘膜上的栅极电极；在所述第二基极层和所述源极层的下部的所述第一基极层内与所述漏极层相对而形成的第二导电型的柱层；设置在所述漏极层的漏极电极；设置在所述源极层和所述第二基极层的源极电极；对所述柱层进行重粒子束照射以局部形成陷阱能级；所述重粒子照射的衰减峰值位置包含在将所述柱层底面作为基准的第一位置和第二位置之间，该第一位置通过距所述柱层底面的距离与反向恢复时间之间的关系求出，该第二位置通过距所述柱层底面的距离与漏源极间饱和电流之间的关系求出。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||