一种超疏水硅微纳复合结构及其制备方法

摘要

发明公开了一种超疏水硅微纳复合结构及其制备方法，属于纳米材料制备领域。该结构是由硅表面方柱阵列微米结构以及各微米结构上柱状纳米结构组成的微纳复合结构。该制备方法成本相对低廉，可以实现周期阵列硅微纳复合结构可控制备，并与微电子、微机电工艺兼容，为深入研究几何形貌对润湿性能的影响提供了有力的手段；该制备方法无需表面修饰，只是通过表面结构形貌改变就可获得超疏水性，为超疏水硅微纳复合结构表面在微机电系统等领域中的应用奠定了基础。

主权项

一种超疏水硅微纳复合结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一：制作掩模版；步骤二：光刻；步骤三：电感耦合等离子体反应刻蚀，刻蚀深度为h，得到符合要求的硅微米结构；步骤四：化学催化腐蚀法在硅微米结构表面制备纳米结构，得到超疏水硅微纳复合结构，包括如下子步骤：子步骤1：对步骤三：电感耦合等离子体反应刻蚀后的硅微米结构先用丙酮清洗，以去除残留在上面的光刻胶，再用无水乙醇清洗，最后用去离子水清洗，然后用氮气吹干；子步骤2：配置5mol/L的氢氟酸，0.015mol/L的硝酸银溶液，然后将其等体积混合；子步骤3：在20℃条件下将子步骤1清洗后的硅微米结构正面朝上放入子步骤2配置的溶液中，沉积1分钟；子步骤4：配置5mol/L的氢氟酸，0.15mol/L的硝酸铁溶液，然后将其等体积混合；子步骤5：将子步骤3沉积过的硅微米结构正面朝上放入子步骤4配置的溶液中，将溶液放入恒温水浴中在35℃下处理30‑90分钟；子步骤6：取出硅微纳复合结构，用去离子水多次漂清后用氮气吹干。