| 发明名称 | 晶体管的形成方法 | ||
| 摘要 | 种晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有栅极结构；在所述栅极结构两侧的半导体衬底内形成开口；在所述开口的侧壁和底部表面形成第一衬垫层，所述第一衬垫层的材料为硅锗或碳化硅，所述第一衬垫层内具掺杂离子，所述掺杂离子为P型离子或N型离子；在所述第一衬垫层表面形成填充满所述开口的第二衬垫层，所述第二衬垫层的材料与第一衬垫层一致，且所述第二衬垫层内的锗或碳的原子百分比浓度比第一衬垫层高，所述第二衬垫层内具有与第一衬垫层内相同的掺杂离子，且第二衬垫层内的掺杂离子浓度比第一衬垫层高。所形成的晶体管阈值电压减小，性能稳定。 | ||
| 申请公布号 | CN103632969A | 申请公布日期 | 2014.03.12 |
| 申请号 | CN201210299790.9 | 申请日期 | 2012.08.21 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 涂火金;何有丰;金兰 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有栅极结构；在所述栅极结构两侧的半导体衬底内形成开口；在所述开口的侧壁和底部表面形成第一衬垫层，所述第一衬垫层的材料为硅锗或碳化硅，所述第一衬垫层内具掺杂离子，所述掺杂离子为P型离子或N型离子；在所述第一衬垫层表面形成填充满所述开口的第二衬垫层，所述第二衬垫层的材料与第一衬垫层一致，且所述第二衬垫层内的锗或碳的原子百分比浓度比第一衬垫层高，所述第二衬垫层内具有与第一衬垫层内相同的掺杂离子，且第二衬垫层内的掺杂离子浓度比第一衬垫层高。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||