制备三维半导体存储器件的方法

摘要

备三维半导体存储器件的方法。本发明提出的将整个存储阵列转变为多个子存储阵列，改变多层阻变单元结构在下电极通孔刻蚀时候的一次刻蚀方式为各个子存储阵列的各自通孔刻蚀方式，通过通孔金属材料回填达到各个子存储阵列的相互连接。这种方案将明显降低在高密度集成过程中刻蚀工艺的工艺复杂性和难度，能够扩展整个存储阵列的阻变单元的集成层数。

主权项

一种制备三维半导体存储器件的方法，其特征在于，包括： 步骤A：在衬底上制备访问晶体管，其中，所述访问晶体管为以下晶体管中的一种：平面晶体管、FinFET、垂直型环栅晶体管； 步骤B：在所述访问晶体管上形成由多个垂直环状阻变单元组成的第一子存储阵列，包括： 交替沉积多层的隔绝层和牺牲层； 通孔刻蚀定义垂直环状阻变单元的下电极区域，所述下电极区域向下连接所述访问晶体管的漏极； 在通孔区域沉积所述第一子存储阵列的下电极； 进行绝缘介质层沉积； 步骤C：在所述第一子存储阵列上形成由多个垂直环状阻变单元组成的第二子存储阵列，包括： 沉积多层的隔绝层和牺牲层； 通孔刻蚀定义下电极区域，所述下电极区域向下至所述第一子存储阵列的下电极； 在通孔区域沉积所述第二子存储阵列的下电极，所述第二子存储阵列的下电极与所述第一子存储阵列的下电极相连通； 进行绝缘介质层沉积。