半导体结构及形成方法

摘要

种半导体结构及形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，位于半导体衬底内的浅沟槽隔离结构，位于浅沟槽隔离结构所包围的半导体衬底表面的栅极结构，位于所述若干栅极结构两侧的半导体衬底内的第一锗硅层和第二锗硅层，所述第一锗硅层靠近浅沟槽隔离结构，所述第二锗硅层远离浅沟槽隔离结构，第一锗硅层中锗的摩尔百分比含量大于第二锗硅层中锗的摩尔百分比含量，所述栅极结构和位于所述栅极结构两侧的第一锗硅层或第二锗硅层构成PMOS晶体管。所述半导体结构中靠近浅沟槽隔离结构的沟道区受到的应力作用与远离浅沟槽隔离结构的沟道区受到的应力作用相当，使得被浅沟槽隔离结构包围的PMOS晶体管的载流子迁移速率一致。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底内形成浅沟槽隔离结构；在所述浅沟槽隔离结构包围的半导体衬底的表面形成若干平行排列的栅极结构；在靠近浅沟槽隔离结构的栅极结构的一侧或两侧的半导体衬底内形成第一沟槽，在所述第一沟槽内形成第一锗硅层；在其余远离浅沟槽隔离结构的栅极结构的一侧或两侧的半导体衬底内形成第二沟槽，在所述第二沟槽内形成第二锗硅层，使得每一个栅极结构两侧的半导体衬底内都形成有第一锗硅层或第二锗硅层，所述第一锗硅层中锗的摩尔百分比含量大于第二锗硅层中锗的摩尔百分比含量，所述栅极结构和位于所述栅极结构两侧的第一锗硅层或第二锗硅层构成PMOS晶体管。