| 发明名称 | 一种DMOS管的制造方法及装置 | ||
| 摘要 | 发明公开了一种DMOS管的制造方法及装置。所述制造方法包括：在N型衬底表面制作外延层；在所述外延层表面形成场氧化层，其中，所述外延层表面包括第一区域和第二区域；只对所述第一区域中的场氧化层进行光刻，形成第一区域沟道，使得第二区域对应的场氧化层得以保留。 | ||
| 申请公布号 | CN103632962A | 申请公布日期 | 2014.03.12 |
| 申请号 | CN201210297354.8 | 申请日期 | 2012.08.20 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 何昌;陈志聪;姜春亮 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 一种DMOS管的制造方法，其特征在于，包括：在N型衬底表面制作外延层；在所述外延层表面形成场氧化层，其中，所述外延层表面包括第一区域和第二区域；只对所述第一区域中的场氧化层进行光刻，形成第一区域沟道，使得第二区域对应的场氧化层得以保留。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦9层 | ||