发明名称 常压CVD薄膜连续生长炉
摘要 发明提供一种常压CVD薄膜连续生长炉,包括工作腔体、多段加热器、冷却器、输送机构、气柜、气体弥散腔、机架;其中工作腔体固定在机架上,前后端设有开口;工作腔体中前部外表面安装多段加热器,中后部外表面安装冷却器;输送机构位于工作腔体底部并从两端开口沿轴向贯穿整个腔体;气体弥散腔安装在腔体内前部加热段,为一个封闭壳体,其顶部设有进气管,底面上均匀分布若干小通孔;所述工作腔体两端及加热段与冷却段之间设有风帘盒,工作腔体两端还设有排气管,所述风帘盒与工作腔体连接,为表面分布有若干小通孔的密闭壳体;气柜上设有流量计,通过管路与气体弥散腔及风帘盒分别连接;其优点在于结构简单、效能高、产量大且次品率。
申请公布号 CN103628041A 申请公布日期 2014.03.12
申请号 CN201310588125.6 申请日期 2013.11.21
申请人 青岛赛瑞达电子科技有限公司 发明人 张海林;滕玉朋;崔慧敏;王晓明
分类号 C23C16/44(2006.01)I;C23C16/54(2006.01)I 主分类号 C23C16/44(2006.01)I
代理机构 山东清泰律师事务所 37222 代理人 宁燕
主权项 一种常压CVD薄膜连续生长炉,其特征在于:包括工作腔体、多段加热器、冷却器、输送机构、气柜、气体弥散腔、机架;其中工作腔体固定在机架上,前后端设有开口;工作腔体中前部外表面安装多段加热器,中后部外表面安装冷却器;输送机构位于工作腔体底部并从两端开口沿轴向贯穿整个腔体;气体弥散腔安装在腔体内前部加热段,为一个封闭壳体,其顶部设有进气管,底面上均匀分布若干小通孔;所述工作腔体两端及加热段与冷却段之间设有风帘盒,工作腔体两端还设有排气管,所述风帘盒与工作腔体连接,为表面分布有若干小通孔的密闭壳体;气柜上设有流量计,通过管路与气体弥散腔及风帘盒分别连接。
地址 266100 山东省青岛市高新技术产业开发区创业中心318-24房间