| 发明名称 | 磷化铟基板的制造方法、外延晶片的制造方法、磷化铟基板及外延晶片 | ||
| 摘要 | 发明提供一种能够抑制电气特性的恶化，并且抑制PL特性的恶化的InP基板的制造方法、外延晶片的制造方法、InP基板及外延晶片。本发明的InP基板的制造方法包括如下步骤：准备InP基板(步骤S1～S3)；利用硫酸过氧化氢水溶液混合物清洗InP基板(步骤S5)；在利用硫酸过氧化氢水溶液混合物进行清洗的步骤(步骤S5)后，利用磷酸清洗InP基板(步骤S6)。 | ||
| 申请公布号 | CN102187020B | 申请公布日期 | 2014.03.12 |
| 申请号 | CN201080002962.0 | 申请日期 | 2010.01.12 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 冲田恭子 |
| 分类号 | C30B29/40(2006.01)I;C30B33/10(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 章蕾 |
| 主权项 | 一种磷化铟基板的制造方法，其包括如下步骤：准备磷化铟基板；利用硫酸过氧化氢水溶液混合物清洗上述磷化铟基板；及在上述利用硫酸过氧化氢水溶液混合物进行清洗的步骤之后，利用磷酸清洗上述磷化铟基板。 | ||
| 地址 | 日本大阪 | ||