相变存储器深沟槽隔离结构及制作方法

摘要

种相变存储器深沟槽隔离结构及制作方法，其中相变存储器深沟槽隔离结构制作方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有深沟槽；在所述深沟槽内形成填充层，且所述填充层厚度小于所述深沟槽深度；在所述深沟槽顶部的两侧侧壁形成侧墙，且所述深沟槽两侧侧壁内的侧墙之间具有暴露所述填充层的空隙；去除所述填充层；形成覆盖所述半导体衬底，且填充所述深沟槽顶部的两侧侧壁内侧墙之间间隙的介质层；平坦化所述介质层，直至露出半导体衬底。与现有技术相比，本发明形成的空腔结构，避免了空洞和缝隙，有效提高了相变存储器的隔离效果。

主权项

一种相变存储器深沟槽隔离结构制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有深沟槽、以及与深沟槽隔离结构交叉排列的浅沟槽隔离结构；在所述深沟槽内形成填充层，且所述填充层厚度小于所述深沟槽深度，且深沟槽内未被填充部分的深度大于浅沟槽的深度；在所述深沟槽顶部的两侧侧壁形成侧墙，且所述深沟槽两侧侧壁内的侧墙之间具有暴露所述填充层的空隙；去除所述填充层；形成覆盖所述半导体衬底、且填充所述侧墙之间间隙的介质层，形成位于所述深沟槽底部与所述侧墙和所述介质层之间的空腔，所述空腔的深度大于浅沟槽的深度；平坦化所述介质层，直至露出半导体衬底。