一种基于氧化硅衬底的V型槽结构的制作方法

摘要

发明公开了一种基于氧化硅衬底的V型槽结构的制作方法，主要包含步骤如下：步骤1，在硅衬底上生长一层氧化膜；步骤2，在氧化膜上生长介质掩膜层；步骤3，在介质掩膜层上涂光刻胶，光刻，显影，然后干法刻蚀定义出介质掩膜层的图形；步骤4，去除光刻胶；步骤5，用步骤3定义出图形的介质掩膜层对下面的氧化膜刻蚀定义出需要的V型图形；步骤6，去除介质掩膜层。本发明用半导体工艺中的刻蚀方法刻蚀V型槽，提高了V型槽结构的精确度，极大的改善了V型槽边线不平直，槽壁起伏不平，以及沟槽长度上的限制，从而提高了光纤和波导对接的精确度，以降低光纤和波导对接的损耗。

主权项

一种基于氧化硅衬底的V型槽结构的制作方法，其特征在于，主要包含步骤如下：步骤1，在硅衬底上生长一层氧化膜；步骤2，在氧化膜上生长介质掩膜层；步骤3，在介质掩膜层上涂光刻胶，光刻，显影，然后干法刻蚀定义出介质掩膜层的图形；步骤4，去除光刻胶；步骤5，用步骤3定义出图形的介质掩膜层对下面的氧化膜刻蚀定义出需要的V型图形；步骤6，去除介质掩膜层。