发明名称 |
高功率低发散角的半导体太赫兹垂直面发射激光器 |
摘要 |
种高功率低发散角的半导体太赫兹垂直面发射激光器,包括:一高掺杂的接收衬底;一下金属波导光限制层,该下金属波导光限制层是由金属热键合形成,并位于接收衬底上;一下接触层,位于下金属波导光限制层上;一有源层,该有源层生长在下接触层上;一上接触层,该上接触层生长在该有源层上,并被制作成准周期等比数列同心圆光栅结构;一上金属层,该上金属层由电子束蒸发于上接触层上,并被制作成准周期等比数列同心圆光栅结构;其中,下金属层和下接触层构成下等离子体波导,上金属层和上接触层构成上等离子体波导,上下等离子体波导构成双面金属波导结构;所述下接触层、有源层、上接触层和上金属层被制作成环形结构,环形的有源层形成了环形谐振腔。 |
申请公布号 |
CN103633559A |
申请公布日期 |
2014.03.12 |
申请号 |
CN201310652143.6 |
申请日期 |
2013.12.05 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
王涛;刘俊岐;刘峰奇;张锦川;王利军;王占国 |
分类号 |
H01S5/183(2006.01)I;H01S5/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/183(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
任岩 |
主权项 |
一种高功率低发散角的半导体太赫兹垂直面发射激光器,包括:一高掺杂的接收衬底;一下金属波导光限制层,该下金属波导光限制层是由金属热键合形成,并位于接收衬底上;一下接触层,位于下金属波导光限制层上;一有源层,该有源层生长在下接触层上;一上接触层,该上接触层生长在该有源层上,并被制作成准周期等比数列同心圆光栅结构;一上金属层,该上金属层由电子束蒸发于上接触层上,并被制作成准周期等比数列同心圆光栅结构;其中,下金属层和下接触层构成下等离子体波导,上金属层和上接触层构成上等离子体波导,上下等离子体波导构成双面金属波导结构;所述下接触层、有源层、上接触层和上金属层被制作成环形结构,环形的有源层形成了环形谐振腔。 |
地址 |
100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |