| 发明名称 | 半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 发明提供了一种半导体结构的制造方法，该方法包括：一种半导体结构的制造方法，包括：a）在衬底上形成在一方向上延伸的栅极线；b）形成覆盖半导体结构的光刻胶层，对该光刻胶层构图形成跨所述栅极线的开口；c）通过所述开口将离子注入所述栅极线中，使所述栅极线在开口处绝缘。本发明在形成电隔离的栅极时，保留了完整的栅极线，在接下来形成介质层的过程中不会导致现有技术中的缺陷，保证了半导体器件的质量。此外本发明还提供了一种根据本发明提供的方法形成的半导体结构。 | ||
| 申请公布号 | CN103633029A | 申请公布日期 | 2014.03.12 |
| 申请号 | CN201210310953.9 | 申请日期 | 2012.08.28 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 钟汇才;梁擎擎;杨达;赵超 |
| 分类号 | H01L21/8244(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L27/11(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8244(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人 | 朱海波;何平 |
| 主权项 | 一种半导体结构的制造方法，包括：a）在衬底上形成在一方向上延伸的栅极线；b）形成覆盖半导体结构的光刻胶层，对该光刻胶层构图形成跨所述栅极线的开口；c）通过所述开口将离子注入所述栅极线中，使所述栅极线在开口处绝缘。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||