| 发明名称 | 一种大功率压接式IGBT器件 | ||
| 摘要 | 实用新型涉及一种大功率压接式IGBT器件。IGBT器件为圆柱体或矩形体，所述IGBT器件包括管壳以及设置在管壳上下两端的两个功率电极，上功率电极为平板结构，下功率电极其中一面分布凸台阵列。器件内部在每个凸台上会设置子模组，子模组分为IGBT子模组和FWD子模组两类。IGBT和FWD子模组均包括功率芯片、多片金属垫片和绝缘框架；功率芯片包括IGBT芯片和FWD芯片两组。子模组中的IGBT芯片和FWD芯片均为厚度100-1000微米的矩形硅片。压接IGBT器件内部无任何焊点。在实际应用时，依靠器件外部施加的数十牛压力实现芯片和上下功率电极的良好连接，提高了器件可靠性，降低了工艺复杂度。 | ||
| 申请公布号 | CN203481226U | 申请公布日期 | 2014.03.12 |
| 申请号 | CN201320632802.5 | 申请日期 | 2013.10.14 |
| 申请人 | 国家电网公司;国网智能电网研究院;国网上海市电力公司 | 发明人 | 张朋;包海龙;张宇;刘隽;车家杰;韩荣刚;金锐;于坤山 |
| 分类号 | H01L25/07(2006.01)I;H01L23/13(2006.01)I;H01L23/492(2006.01)I;H01L25/00(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I | 主分类号 | H01L25/07(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人 | 徐国文 |
| 主权项 | 一种大功率压接式IGBT器件，所述IGBT器件包括管壳以及设置在管壳两端的两个功率电极，其特征在于，其中一个功率电极分布凸台阵列，在每个凸台上设置子模组。 | ||
| 地址 | 100031 北京市西城区西长安街86号 | ||