一种半导体器件双外延层的形成方法

摘要

发明涉及一种半导体器件双外延层的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上至少包含第一栅极和第二栅极；在所述半导体衬底上形成外延阻挡层；蚀刻去除所述第一栅极以及两侧源漏区上的外延阻挡层，露出所述半导体衬底，并在所述第一栅极两侧的源漏区外延生长第一半导体材料层，形成第一抬升源漏；蚀刻去除剩余的所述外延阻挡层，在所述第二栅极两侧的源漏区形成第二抬升源漏，其中，所述第二半导体材料层与第一半导体材料层具有高的蚀刻选择比；在所述第二栅极以及第二抬升源漏上沉积掩膜材料层；蚀刻去除所述第一抬升源漏上的第二半导体材料层；去除所述掩膜材料层。本发明所述方法更加简单、高效。

主权项

一种半导体器件双外延层的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上至少包含第一栅极和第二栅极；在所述半导体衬底上形成外延阻挡层；蚀刻去除所述第一栅极以及两侧源漏区上的外延阻挡层，露出所述半导体衬底，并在所述第一栅极两侧的源漏区外延生长第一半导体材料层，形成第一抬升源漏；蚀刻去除剩余的所述外延阻挡层，在所述第一抬升源漏以及第二栅极两侧的源漏区外延生长第二半导体材料层，在所述第二栅极两侧的源漏区形成第二抬升源漏，其中，所述第二半导体材料层与第一半导体材料层具有高的蚀刻选择比；在所述第二栅极以及第二抬升源漏上沉积掩膜材料层；蚀刻去除所述第一抬升源漏上的第二半导体材料层；去除所述掩膜材料层。