具有容忍变异字元线驱动抑制机制的随机存取存储器

摘要

发明提供一种具有容忍变异字元线驱动抑制机制的随机存取存储器，其包括多个字元线驱动器、至少一第一追随晶体管与第二追随晶体管。各字元线驱动器有一输入端以接收一解码信号、一电源端以接受一工作电压、与一驱动端以驱动一字元线。一实施例中，第一追随晶体管有两沟道端，分别耦接字元线驱动器的驱动端与第二追随晶体管的一个沟道端。其中，第一追随晶体管的电子特性追随字元线驱动器中驱动晶体管的电子特性，第二追随晶体管的电子特性追随各存储单元中闸通晶体管的电子特性。本发明可以对读取干扰进行较佳的减抑，并加强静态噪声裕度，改善字元线使能电压的上升时间与随机存取存储器存取时序。

主权项

一种随机存取存储器，包含：多个行，每一该行包含多个存储单元及一对应的字元线；各该存储单元包含一个用于储存数据的闩锁器以及至少一闸通晶体管，耦接于该闩锁器、该对应字元线与一对应位元线之间；多个字元线驱动器，每一该字元线驱动器包含一电源端、一驱动端、一输入端及一驱动晶体管；该电源端接收一工作电压，该驱动端耦接所述行的所述字元线的其中之一，该输入端接收一解码信号，该驱动晶体管包含一控制端与两沟道端，分别耦接该输入端、该驱动端与该电源端；至少一第一追随晶体管，各该第一追随晶体管对应所述字元线驱动器的其中之一，包含两沟道端；其中一沟道端耦接该对应字元线驱动器的该电源端及该驱动端的其中之一；该第一追随晶体管的电子特性追随该对应字元线驱动器中该驱动晶体管的电子特性,以使该两者电子特性的变异倾向呈一定比例关系；以及至少一第二追随晶体管，包含一沟道端，耦接该第一追随晶体管的该两沟道端的其中之一；该第二追随晶体管的电子特性追随所述存储单元中所述闸通晶体管的电子特性,以使该两者电子特性的变异倾向呈一定比例关系。