发明名称 多晶硅断裂强度的在线测试结构及其测试方法
摘要 发明公开了一种多晶硅断裂强度的在线测试结构及其测试方法,对测试结构进行简单的电流激励并测量相关电阻,将测量得到的相关电阻值代入计算公式,利用多个计算方程消去热膨胀系数,最终得到多晶硅的断裂强度。本发明的测试方法简单,测试设备要求低,测试结构的加工过程与微机电器件MEMS同步,没有特殊加工要求,符合在线测试的要求,计算方法仅限于简单数学方程,测试与计算过程稳定,输出结果可靠。
申请公布号 CN102590282B 申请公布日期 2014.03.12
申请号 CN201210007367.7 申请日期 2012.01.11
申请人 东南大学 发明人 李伟华;张卫青;周再发;刘海韵;蒋明霞
分类号 G01N27/04(2006.01)I 主分类号 G01N27/04(2006.01)I
代理机构 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人 柏尚春
主权项 一种多晶硅断裂强度的在线测试结构,其特征在于,包括第一测试单元、第二测试单元、第三测试单元和绝缘衬底,所述第一测试单元、第二测试单元和第三测试单元设置在绝缘衬底上;所述第一测试单元包括第一对固定锚区(C‑C)、第一独立锚区(D)、第一多晶硅接触块(101)、第一多晶硅指针(102)和第一多晶硅膨胀条(103),其中:第一对固定锚区(C‑C)和第一独立锚区(D)分别固定在绝缘衬底上,第一多晶硅膨胀条(103)的两端分别固定在第一对固定锚区(C‑C)上,第一多晶硅指针(102)的一端固定在第一多晶硅膨胀条(103)中间,另一端悬空,第一多晶硅接触块(101)位于第一多晶硅指针(102)的悬空端且固定在第一独立锚区(D)上,第一多晶硅接触块(101)、第一多晶硅指针(102)和第一多晶硅膨胀条(103)分别悬空;第二测试单元包括第二对固定锚区(E‑E)、第二独立锚区(F)、第二多晶硅接触块(201)、第二多晶硅指针(202)和第二多晶硅膨胀条(203),其中:第二对固定锚区(E‑E)和第二独立锚区(F)分别固定在绝缘衬底上,第二多晶硅膨胀条(203)的两端分别固定在第二对固定锚区(E‑E)上,第二多晶硅指针(202)的一端固定在第二多晶硅膨胀条(203)中间,另一端悬空,第二多晶硅接触块(201)位于第二多晶硅指针(202)的悬空端且固定在第二独立锚区(F)上,第二多晶硅接触块(201)、第二多晶硅指针(202)和第二多晶硅膨胀条(203)分别悬空,第一多晶硅指针(102)比第二多晶硅指针(202)短;第三测试单元包括第三对固定锚区(G‑G)、第三独立锚区(H)、多晶硅驱动梁(301)和多晶硅断裂条(302);其中:第三对固定锚区(G‑G)和第三独立锚区(H)分别固定在绝缘衬底上,多晶硅驱动梁(301)的两端分别固定在第三对固定锚区(G‑G)上,多晶硅断裂条(302)的一端固定在多晶硅驱动梁(301)的中间,另一端固定在第三独立锚区(H),多晶硅驱动梁(301)和多晶硅断裂条(302)分别悬空;所述第一多晶硅膨胀条(103)包括第一左支条(104)和第一右支条(105),第一左支条(104)和第一右支条(105)的一端分别固定在第一对固定锚区(C‑C)上,另一端相互搭接,第一右支条(105)位于第一左支条(104)之上,第一左支条(104)和第一右支条(105)上分别设有第一狭长部位(106),第一多晶硅 指针(102)固定在第一左支条(104)和第一右支条(105)搭接处,第一多晶硅接触块(101)位于第一多晶硅指针(102)的左侧;所述第二多晶硅膨胀条(203)包括第二左支条(204)和第二右支条(205),第二左支条(204)和第二右支条(205)的一端分别固定在第二对固定锚区(E‑E)上,另一端相互搭接,第二右支条(205)位于第二左支条(204)之上,第二左支条(204)和第二右支条(205)上分别设有第二狭长部位(206),第二多晶硅指针(202)固定在第二左支条(204)和第二右支条(205)搭接处,第二多晶硅接触块(201)位于第二多晶硅指针(202)的左侧;所述多晶硅驱动梁(301)的两端为驱动臂(303),驱动臂(303)分别与第三对固定锚区(G‑G)相连;第二测试单元和第一测试单元除了多晶硅指针的长度不同,其他结构和尺寸特征完全一致。
地址 210096 江苏省南京市四牌楼2号
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