首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 绝缘体基底半导体上之伪反相器电路
摘要
申请公布号 TWI430436 申请公布日期 2014.03.11
申请号 TW099131183 申请日期 2010.09.15
申请人 Ｓ　Ｏ　Ｉ　ＴＥＣ矽绝缘体科技公司 法国 发明人 玛鲁瑞　卡洛斯;菲伦特　理查;阮　碧烟
分类号 H01L27/12;H01L27/092;G11C8/08 主分类号 H01L27/12
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼
主权项
地址 法国
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com