首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 蚀刻矽晶圆边缘的方法
摘要
申请公布号 TWI430348 申请公布日期 2014.03.11
申请号 TW098110667 申请日期 2009.03.31
申请人 ＭＥＭＣ电子材料公司 美国 发明人 厄克　亨利Ｆ;亚伯查特　彼得;贺蓝德　吉恩;多恩　汤玛士Ｅ;史区密特　茱蒂斯;凡戴姆　罗兰德Ｒ;张国强（大卫）
分类号 H01L21/302 主分类号 H01L21/302
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址 美国
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com