可用于制造三维多重闸极金属氧化层半导体场效电晶体（ＭＯＳＦＥＴＳ）之大块矽晶圆产物,申请号TW098128877-传众专利搜索

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发明名称	可用于制造三维多重闸极金属氧化层半导体场效电晶体（ＭＯＳＦＥＴＳ）之大块矽晶圆产物
摘要
申请公布号	TWI430445	申请公布日期	2014.03.11
申请号	TW098128877	申请日期	2009.08.27
申请人	ＭＥＭＣ电子材料公司美国	发明人	希奎斯特　麦可Ｒ
分类号	H01L29/78;H01L21/20;H01L21/3065	主分类号	H01L29/78
代理机构		代理人	陈长文台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址	美国

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