PROCEDE DE GRAVURE D'UN MATERIAU SEMICONDUCTEUR CRISTALLIN PAR IMPLANTATION IONIQUE PUIS GRAVURE CHIMIQUE A BASE DE CHLORURE D'HYDROGENE

摘要

L'invention décrit un procédé de gravure d'un matériau semiconducteur (114) cristallin, caractérisé en ce qu'il comprend : au moins une implantation ionique réalisée en implantant une pluralité d'ions (121) dans au moins un volume (113) du matériau semiconducteur (114) de sorte à rendre amorphe le matériau semi-conducteur dans le au moins un volume (113) implanté et à conserver le matériau semiconducteur (114) dans un état cristallin en dehors (112) du au moins un volume (113) implanté, et au moins une gravure chimique à base de chlorure d'hydrogène, sélective du matériau semi-conducteur amorphe par rapport au matériau semi-conducteur cristallin, pour retirer le matériau semi-conducteur dans le au moins un volume (113) et pour conserver le matériau semi-conducteur en dehors (112) du au moins un volume (113).