Verfahren zur Durchlassstromerhöhung in Feldeffekttransistoren durch asymmetrische Konzentrationsprofile von Legierungssubstanzen einer Kanalhalbleiterlegierung und Halbleiterbauelement

摘要

Verfahren zur Herstellung eines Feldeffekttransistors, wobei das Verfahren umfasst: Bilden einer Kanalhalbleiterlegierung mit einem asymmetrischen Konzentrationsprofil der legierungsbildenden Sorte auf einem Halbleiterbasismaterial eines aktiven Gebiets derart, dass dieses eine variierende Konzentration der legierungsbildenden Sorte, die nicht Bor umfasst, entlang der Stromflussrichtung im Kanal des Feldeffekttransistors besitzt; Bilden einer Gateelektrodenstruktur auf dem aktiven Gebiet derart, dass diese auf zumindest einem Teil der Kanalhalbleiterlegierung angeordnet ist; und Bilden von Drain- und Sourcegebieten in dem aktiven Gebiet.