Halbleiterbauelement mit einer Passivierungsschicht und Verfahren zu dessen Herstellung

摘要

Beschrieben wird ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements. Das Halbleiterbauelement umfasst: einen Halbleiterkörper (100), der eine erste Oberfläche (101) aufweist; eine Kontaktelektrode (21), die auf der ersten Oberfläche (101) angeordnet ist; und eine Passivierungsschicht (30) auf der ersten Oberfläche benachbart zu der Kontaktelektrode (21), wobei die Passivierungsschicht (30) einen Schichtstapel mit einer amorphen semi-isolierenden Schicht (31) auf der ersten Oberfläche (101), eine erste Nitridschicht (32) auf der amorphen semi-isolierenden Schicht (31) und eine zweite Nitridschicht (34) auf der ersten Nitridschicht (32) aufweist.