一种掺杂硅量子点发光二极管器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种掺杂硅量子点发光二极管，包括硅衬底，沉积银纳米颗粒层，以及在银纳米颗粒结构上沉积多层分布均匀且包含掺杂硅量子点的SiNx薄膜，透明导电薄膜AZO层以及Si3N4钝化层。还公开了该发光二极管的制备方法，利用掺杂硅量子点-SiNx薄膜的电致发光特性，构成发光二极管的发光有源层；利用掺杂可以钝化量子点，同时掺杂硅量子点与硅衬底形成的p-n结增强电子空穴的辐射复合。此外，利用银纳米结构增加电致发光的强度，提高了发光器件的发光效率，且与传统的CMOS工艺兼容。

主权项

一种掺杂硅量子点发光二极管器件，包括：具有外延层的P+/P型硅衬底（2）；在硅衬底（2）上形成的银纳米颗粒层（3）；在银纳米颗粒层（3）上，由多个Si3N4层（4）和掺杂富硅SiNx层（5）交替沉积形成的基于SiNx织构的掺杂硅量子点发光二极管器件有源发光层；在所述有源发光层上沉积的透明导电薄膜层（6）；在透明导电薄膜层（6）上生长的钝化层（7）；在钝化层（7）上刻蚀形成的金属电极（8）；以及在硅衬底（2）背面沉积形成的金属电极层（1）。