| 发明名称 | 感测电路 | ||
| 摘要 | 一种电路包含退化p沟道金属氧化物半导体PMOS晶体管(102)、负载PMOS晶体管(104)以及箝位晶体管(110)，所述箝位晶体管经配置以在感测操作期间对施加到基于电阻的存储元件(112)的电压进行钳制。所述负载PMOS晶体管的栅极由与非NAND电路(106)的输出控制。 | ||
| 申请公布号 | CN103620684A | 申请公布日期 | 2014.03.05 |
| 申请号 | CN201280030437.9 | 申请日期 | 2012.07.01 |
| 申请人 | 高通股份有限公司 | 发明人 | 金圣克;金吉苏;刘景昊;金正丕;升·H·康 |
| 分类号 | G11C7/06(2006.01)I;G11C7/12(2006.01)I;G11C11/16(2006.01)I;G11C11/26(2006.01)I;G11C11/4091(2006.01)I | 主分类号 | G11C7/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 宋献涛 |
| 主权项 | 一种电路，其包括：退化p沟道金属氧化物半导体PMOS晶体管；负载PMOS晶体管；以及箝位晶体管，其经配置以在感测操作期间对施加到基于电阻的存储元件的电压进行钳制，其中所述负载PMOS晶体管的栅极由与非NAND电路的输出控制，所述NAND电路具有响应于控制信号的第一输入和耦合到所述负载PMOS晶体管的端子的第二输入。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||