发明名称 |
高功率溅射源 |
摘要 |
本发明涉及一种磁控管溅镀方法,利用该方法可以将材料从靶表面溅射,使得所溅射的材料以离子形式高百分比地存在。根据本发明,这借助于简单的发生器来实现,该发生器的功率以分布在时间间隔中的方式馈入到多个磁控管溅镀源中,也就是说,在一时间间隔给一个溅镀源供应最大功率,并且在接下来的时间间隔中给下一个溅镀源供应最大功率。通过这种方式,实现了大于0.2A/cm2的放电电流密度。在关断时间期间,溅镀靶具有冷却的可能性,使得温度极限不被超过。 |
申请公布号 |
CN103620731A |
申请公布日期 |
2014.03.05 |
申请号 |
CN201280030373.2 |
申请日期 |
2012.03.30 |
申请人 |
欧瑞康贸易股份公司(特吕巴赫) |
发明人 |
S.克拉斯尼策尔;K.鲁姆 |
分类号 |
H01J37/34(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I |
主分类号 |
H01J37/34(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
杜荔南;胡莉莉 |
主权项 |
一种用于生成等离子体放电的方法,所述等离子体放电具有至少在一些区域中局部地大于0.2A/cm2的放电电流密度,该方法具有步骤: -提供具有预先给定的最大功率的功率供应单元; -提供至少两个磁控管溅镀源,所述磁控管溅镀源分别具有预先给定的轨迹和预先给定的热极限,其中所述轨迹被设计为如此小,使得在所述功率供应单元的最大功率分别作用于所述磁控管溅镀源之一时,放电电流密度大于0.2A/cm2; -借助于所述功率供应单元,在第一时间间隔内将第一功率馈入到所述至少两个磁控管溅镀源中的第一个,其中第一功率被选择为足够大,使得在所述磁控管溅镀源处至少在一区域中局部地产生大于0.2A/cm2的放电电流密度,并且其中第一时间间隔被选择为足够小,使得第一磁控管溅镀源的预先给定的热极限不被超过; -借助于所述功率供应单元,在第二时间间隔内将第二功率馈入到所述磁控管溅镀源中的第二个,其中第二功率被选择为足够大,使得在第二磁控管溅镀源处至少在一区域中局部地产生大于0.2A/cm2的放电电流密度,并且其中第二时间间隔被选择为足够小,使得第二磁控管溅镀源的预先给定的热极限不被超过; 其特征在于,所述功率供应单元包括至少两个发生器,所述发生器以主‑从配置彼此连接,并且所述两个时间间隔不完全重叠。 |
地址 |
瑞士特吕巴赫 |