| 发明名称 |
Fabrication of silicon and germanium nanowires integrated on a substrate |
| 摘要 |
<p>L'invention concerne un procédé de réalisation d'un dispositif comprenant une structure avec des nano-fils à base d'un matériau semi-conducteur tel que du Si et une autre structure avec des nano-fils à base d'un autre matériau semi-conducteur tel que du SiGe et s'applique notamment à la réalisation de transistors.
</p> |
| 申请公布号 |
EP2299493(A3) |
申请公布日期 |
2014.03.05 |
| 申请号 |
EP20100176405 |
申请日期 |
2010.09.13 |
| 申请人 |
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIESALTERNATIVES |
发明人 |
SARACCO, EMELINE;DAMLENCOURT, JEAN-FRANCOIS;HEITZMANN, MICHEL |
| 分类号 |
H01L29/775;H01L21/335;H01L29/786 |
主分类号 |
H01L29/775 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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