发明名称 |
一种电源转换器、控制电路、及控制电路的制造方法 |
摘要 |
本发明提供电源转换器及其控制电路,所述控制电路包括电压钳位单元、控制单元、驱动器和超高压NMOS晶体管,所述电压钳位单元用于限制电源电压不超过其钳位电压;所述控制单元以电源电压作为工作电压,并根据反馈电压输出控制信号;所述驱动器根据所述控制单元输出的控制信号产生对应的门控信号;所述门控信号通过控制超高压NMOS晶体管的栅极以控制超高压NMOS晶体管的开通和关断。这样就可以在实现控制电路的控制功能的同时,节省集成电路制造工艺的光刻步数,从而节省芯片的生产成本。 |
申请公布号 |
CN102394555B |
申请公布日期 |
2014.03.05 |
申请号 |
CN201110351928.0 |
申请日期 |
2011.11.09 |
申请人 |
无锡中星微电子有限公司 |
发明人 |
王钊 |
分类号 |
H02M1/36(2007.01)I;H01L21/8238(2006.01)I |
主分类号 |
H02M1/36(2007.01)I |
代理机构 |
无锡互维知识产权代理有限公司 32236 |
代理人 |
戴薇 |
主权项 |
一种电源转换器的控制电路,其特征在于,其包括电压钳位单元、控制单元、驱动器和超高压NMOS晶体管,所述电压钳位单元用于限制电源电压不超过其钳位电压;所述控制单元以电源电压作为工作电压,并根据反馈电压输出控制信号;所述驱动器根据所述控制单元输出的控制信号产生对应的门控信号;所述门控信号通过控制超高压NMOS晶体管的栅极以控制超高压NMOS晶体管的开通和关断,所述电压钳位单元、所述控制单元、所述驱动器中的MOS晶体管的栅源耐受电压以及所述超高压NMOS晶体管的栅源耐受电压相同,且小于等于所述钳位电压,超高压NMOS晶体管采用和所述电压钳位单元、所述控制单元、所述驱动器中的MOS晶体管一样的栅氧,从而在一次光刻中同时形成。 |
地址 |
214028 江苏省无锡市新区太湖国际科技园清嘉路530大厦10层 |