发明名称 |
一种拉制8英寸区熔硅单晶热系统及工艺 |
摘要 |
本发明涉及一种拉制8英寸区熔硅单晶热系统及工艺。热系统包括线圈和保温桶,在炉体外两侧与线圈1相同高度的位置上分别设有产生横向磁场的磁场发生器,在线圈和保温桶之间设有用于对熔区热量进行反射的反射器。其工艺为:当扩肩直径到达100mm时,伸出反射器在硅单晶周围形成一个保温圈,开启磁场发生器,同时要保证扩肩过程中硅单晶上方的熔区高度为3~5mm,当硅单晶直径到205mm时转肩;在等径保持过程中,炉压为4~8bar。由于采取新设计的区熔硅单晶热系统和调整了工艺参数,成功拉制出8英寸区熔硅单晶,解决了大直径硅单晶成晶困难中的温度波动和熔流波动的问题,避免和减少了位错的产生,从而满足市场对8英寸区熔硅单晶的需求。 |
申请公布号 |
CN102321913B |
申请公布日期 |
2014.03.05 |
申请号 |
CN201110306524.X |
申请日期 |
2011.10.11 |
申请人 |
天津市环欧半导体材料技术有限公司 |
发明人 |
沈浩平;高树良;张雪囡;王彦君;王岩;王遵义;赵宏波;靳立辉;刘嘉 |
分类号 |
C30B15/14(2006.01)I;C30B13/16(2006.01)I |
主分类号 |
C30B15/14(2006.01)I |
代理机构 |
天津中环专利商标代理有限公司 12105 |
代理人 |
王凤英 |
主权项 |
一种拉制8英寸区熔硅单晶热系统,包括线圈(1)和保温桶(3),其特征在于:在炉体外两侧与线圈(1)相同高度的位置上分别设有产生横向磁场的磁场发生器(4),在线圈(1)和保温桶(3)之间设有用于对熔区(5)热量进行反射的反射器(2);所述磁场发生器(4)产生的横向磁场强度为800~1200高斯;所述反射器(2)包括石墨板(11)、金属支架(9)和金属轴(10),所述反射器(2)设为两部分,每个部分由上下两个半圆形的金属支架(9)组成,数块石墨板(11)分别固定在金属支架(9)上,金属轴(10)的一端分别通过连接支架(12)焊接固定在两个半圆形的金属支架(9)的一侧,金属轴(10)的另一端与传动装置连接。 |
地址 |
300384 天津市东丽区华苑产业园区(环外)海泰东路12号 |