基于光刻胶的临时键合及去键合的方法

摘要

本发明是一种基于光刻胶（ProLIFT100）的临时键合及去键合的方法，其特征是包括临时键合及去键合。优点是：GaAs、GaN等化合物半导体晶圆加工的一些关键工艺如背面金属化、背面通孔的刻蚀等步骤在200摄氏度以上高温下进行可获得更好的效果，而ProLIFT100能够耐受超过300摄氏度的高温，可以同时起到圆片正面图形保护和粘片粘附剂的作用，因此非常适合在半导体背面工艺中用于与载片的临时键合。另外利用旋涂甩胶的方式进行键合过渡层的涂敷，平整度和均匀性都非常好，工艺简单、重复性好；并且整个过程不会对临时载片造成磨损、沾污等伤害，可以循环使用；去键合过程简单易行，不需要外加机械力的作用，能够大大减少碎片的概率。

主权项

一种基于光刻胶（ProLIFT100）的临时键合及去键合的方法，其特征是包括临时键合及去键合，其中临时键合的步骤，包括1）用质量浓度为10%的盐酸清洗半导体圆片和临时载片表面，再用去离子水进行冲洗，去除表面沾污，然后放入烘箱烘干圆片表面的水分，保证圆片表面干爽无污染，临时载片是玻璃片或蓝宝石；2）在半导体圆片和临时载片的正面分别旋涂光刻胶（ProLIFT100）作为临时键合过渡层，转速1000rpm‑5000rpm，时间为60秒；3）保持半导体圆片和临时载片的正面朝上，在烘箱中烘烤30分钟，烘箱温度应不低于220摄氏度；4）待半导体圆片和临时载片在室温下自然冷却后，将半导体圆片和临时载片正面相对在温度为250摄氏度、真空度小于5mbar、压力大于4000N的条件下进行粘片；去键合方法，包括以下步骤：1）清洗半导体圆片和临时载片表面；2）将圆片浸泡在正性显影液中；3）待光刻胶（ProLIFT100）溶解后半导体圆片和临时载片将自动分离；4）将半导体圆片小心夹起并清洗干净。