多晶硅反应炉和多晶硅的制备方法

摘要

本发明涉及多晶硅反应炉和多晶硅的制备方法。该多晶硅反应炉是将设于炉内的硅芯棒进行通电加热，使供给炉内的原料气体反应，在上述硅芯棒表面生成多晶硅的多晶硅反应炉，该多晶硅反应炉具备设于炉底的原料气体供给口、和以连通状态安装在上述原料气体供给口上并向上方延伸的原料气体供给喷嘴，以保持上述硅芯棒的电极的上端为基准，该原料气体供给喷嘴的上端设定为-10cm至+5cm范围的高度。

主权项

多晶硅反应炉，该多晶硅反应炉是对设置在炉内的硅芯棒进行通电加热，使供给炉内的原料气体反应，在上述硅芯棒表面生成多晶硅的多晶硅反应炉，该多晶硅反应炉具备设于炉底的原料气体供给口、和与上述原料气体供给口呈连通状态地安装、并向上方延伸的原料气体供给喷嘴，以保持上述硅芯棒的电极的上端为基准，上述原料气体供给喷嘴的上端被设定成‑10 cm至+5 cm范围的高度，上述原料气体供给喷嘴具有：直径向着上方缩小的方式形成的圆锥形状的外周面、直径向着上方缩小的方式形成的圆锥形状的贯通孔的内周面、上述锥的前端的小直径面、上述小直径面的相反一侧的端面，即大直径面、和在上述大直径面上形成的与上述贯通孔相同的轴线为中心的凹部，上述贯通孔在上述小直径面和上述大直径面开口，在上述凹部嵌合上述原料气体供给口。2．权利要求1的多晶硅反应炉，其中，以保持上述硅芯棒的电极的上端为基准，上述原料气体供给喷嘴的上端被设定成‑5 cm至+1 cm的范围的高度。3．多晶硅反应炉，该多晶硅反应炉是对设置在炉内的硅芯棒进行通电加热，使供给炉内的原料气体反应，在上述硅芯棒表面生成多晶硅的多晶硅反应炉，该多晶硅反应炉具备设于炉底的原料气体供给口、和与上述原料气体供给口呈连通状态地安装、并向上方延伸的原料气体供给喷嘴，以保持上述硅芯棒的电极的上端为基准，上述原料气体供给喷嘴的上端被设定成‑10 cm至+5 cm范围的高度，其中，喷嘴本体的外周面的直径向上方缩小形成锥状，贯通孔的内周面形成直线状，所述原料气体供给喷嘴的前端以可装卸方式设置构成所述原料气体供给喷嘴的前端部的喷嘴头，喷嘴头形成大直径部和小直径部的带阶梯的形状，小直径部上设置的外螺纹部可旋入在上述贯通孔的上端部设置的内螺纹部中。4．多晶硅的制备方法，该制备方法是将设置在多晶硅反应炉内的硅芯棒进行通电加热，通过设于上述反应炉底的原料气体供给口、以及与上述原料气体供给口呈连通状态地安装、并向上方延伸的原料气体供给喷嘴向炉内供给原料气体，使原料气体反应，在上述硅芯棒表面生成多晶硅，其中，以保持上述硅芯棒的电极的上端为基准，上述原料气体供给喷嘴的上端被设定成‑10 cm至+5 cm的范围的高度，作为上述原料气体供给喷嘴使用如下的原料气体供给喷嘴，其具有：直径向着上方缩小的方式形成的圆锥形状的外周面、直径向着上方缩小的方式形成的圆锥形状的贯通孔的内周面、上述锥的前端的小直径面、上述小直径面的相反一侧的端面，即大直径面、和在上述大直径面上形成的与上述贯通孔相同的轴线为中心的凹部，上述贯通孔在上述小直径面和上述大直径面开口，在上述凹部嵌合安装上述原料气体供给口。