发明名称 半导体组件
摘要 本发明公开了一种半导体组件,包括具有一第一导电类型的一磊晶层以及具有一第二导电类型的至少一第一半导体层与一第二半导体层。第一半导体层位于一外围区内的磊晶层中,且具有一圆弧部以及从圆弧部的两端伸出的一第一条状部与一第二条状部。第一条状部指向一主动组件区,且第二条状部垂直第一条状部。第二半导体层设在主动组件区与第二条状部间的外围区内的磊晶层中,且第二半导体层具有一侧壁,面对且平行于第一半导体层。
申请公布号 CN102479802B 申请公布日期 2014.03.05
申请号 CN201110020626.5 申请日期 2011.01.07
申请人 大中积体电路股份有限公司 发明人 林伟捷
分类号 H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I 主分类号 H01L29/06(2006.01)I
代理机构 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 代理人 江耀纯
主权项 一种半导体组件,其特征在于,包括:一基底,具有一第一导电类型,并定义有一主动组件区以及围绕所述主动组件区的一外围区;一磊晶层,具有所述第一导电类型,且设在所述基底上;至少一第一半导体层,具有一第二导电类型,且位于所述外围区内的磊晶层中,所述第一半导体层具有一圆弧部、从所述圆弧部的一端延伸出的一第一条状部以及从所述圆弧部的另一端延伸出的一第二条状部,其中所述第一条状部指向所述主动组件区,且所述第二条状部垂直于所述第一条状部;以及一第二半导体层,具有第二导电类型,设在所述主动组件区与所述第二条状部之间的所述外围区内的磊晶层中,且所述第二半导体层具有一第一侧壁与相对于所述第一侧壁的一第二侧壁,所述第一侧壁面对所述第一半导体层,其中所述第一侧壁平行于所述第一半导体层,且所述第一侧壁与所述第一半导体层之间具有一第一间距。
地址 中国台湾新竹