| 发明名称 | InGaN盖帽层实现InAlN器件低温欧姆接触的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种InGaN盖帽层实现InAlN器件低温欧姆接触的方法，涉及以衬底为特征的外延层生长方法技术领域。包括以下步骤：1）在衬底上生长氮化物材料结构；2）在氮化物材料结构上生长InAlN材料层；3）在InAlN材料层上生长InGaN材料盖帽层。通过所述方法在进行InAlN基器件欧姆接触制作时，能降低退火温度，改善金属电极的表面质量，提高器件的质量；同时盖帽层同材料外延一起生长，既改善器件的性能，又对器件工艺没有影响。 | ||
| 申请公布号 | CN103617950A | 申请公布日期 | 2014.03.05 |
| 申请号 | CN201310640281.2 | 申请日期 | 2013.12.04 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 发明人 | 刘波;冯志红;蔡树军 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人 | 米文智 |
| 主权项 | 一种InGaN盖帽层实现InAlN器件低温欧姆接触的方法，其特征在于包括以下步骤：1）在衬底（1）上生长氮化物材料结构（2）；2）在氮化物材料结构（2）上生长InAlN材料层（3）；3）在InAlN材料层（3）上生长InGaN材料盖帽层（4）。 | ||
| 地址 | 050051 河北省石家庄市合作路113号 | ||