于裸露硅表面而非氧化物表面上的聚合物薄膜的选择性沉积

摘要

一种在硅基板上选择性沉积的方法，硅基板上形成有裸露硅区与氧化物区。该方法包括将基板置于处理腔室内的晶片支撑件上、引导含碳气体进入反应器、施加偏压至基板、由含碳气体产生等离子体、通过等离子体掺杂工艺将碳离子注入基板上的氧化物区中，及沉积含碳膜于裸露硅区上。

主权项

一种沉积方法，包括以下步骤：由含碳气体产生的含碳离子选择性地沉积含碳层于基板的硅区上，其中所述基板包括至少一个硅区和至少一个氧化物区；及选择性地将所述含碳离子注入所述基板的所述氧化物区。