发明名称 |
一种硅太阳能电池生产中的湿刻蚀方法 |
摘要 |
本发明公开了一种硅太阳能电池生产中的湿刻蚀方法,具体步骤如下:(1)水膜保护步骤:在硅片的扩散面上通过水喷淋系统喷淋去离子水,形成水膜保护层,该水膜保护层一直持续存在,直到硅片完成刻蚀步骤;(2)去磷硅玻璃步骤:水膜保护步骤后硅片进入氢氟酸槽,氢氟酸槽内设有氢氟酸药液,氢氟酸药液是通过带液滚轮带到硅片的背面,去除硅片背面和边缘的磷硅玻璃,而正面的磷硅玻璃层和水膜保护层不受到影响;(3)刻蚀步骤:去磷硅玻璃步骤后硅片进入刻蚀槽,刻蚀背面和边缘的PN结,在刻蚀槽中,硅片采用漂浮在刻蚀液上的方式进行刻蚀。本发明能够稳定控制刻蚀后的方阻上升值,增加了PN结的有效面积,提高电池片的转换效率。 |
申请公布号 |
CN103618020A |
申请公布日期 |
2014.03.05 |
申请号 |
CN201310489196.0 |
申请日期 |
2013.10.18 |
申请人 |
浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
发明人 |
李茂林;柳洪方;王学林;梁小科 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 |
代理人 |
吴关炳 |
主权项 |
一种硅太阳能电池生产中的湿刻蚀方法,包括水膜保护步骤和刻蚀步骤,其特征在于:在所述水膜保护步骤和刻蚀步骤之间增设去磷硅玻璃步骤,具体步骤如下:(1)水膜保护步骤:在硅片的扩散面上通过水喷淋系统喷淋去离子水,形成水膜保护层,该水膜保护层一直持续存在,直到硅片完成刻蚀步骤;(2)去磷硅玻璃步骤:水膜保护步骤后硅片进入氢氟酸槽,氢氟酸槽内设有氢氟酸药液,氢氟酸药液是通过带液滚轮带到硅片的背面,去除硅片背面和边缘的磷硅玻璃,而正面的磷硅玻璃层和水膜保护层不受到影响;(3)刻蚀步骤:去磷硅玻璃步骤后硅片进入刻蚀槽,刻蚀背面和边缘的PN结,在刻蚀槽中,硅片采用漂浮在刻蚀液上的方式进行刻蚀。 |
地址 |
314416 浙江省嘉兴市海宁市袁花镇工业区袁溪路58号 |