发明名称 一种梯度孔隙纯质碳化硅膜管
摘要 本发明属于多孔陶瓷材料及其制备技术领域,具体为一种梯度孔隙纯质碳化硅膜管及其制备方法。梯度孔隙纯质碳化硅膜管的组成为纯质SiC,由支撑体层及表面膜层构成梯度过滤结构;其中,支撑体由粗颗粒碳化硅堆积结合而成,平均孔径5~120μm,表面膜层由细颗粒碳化硅堆积结合而成,孔径0.1~20μm,膜管整体气孔率在25~50%之间。制备方法依次包括配料、支撑体成型、膜层制备和烧成,成型采用等静压成型,成型压力控制为40~150MPa,烧成温度控制为1500~2400℃,保温时间0.5~5小时,易于实现,能够保证产品性能。本发明可在氧化气氛下使用,也可以在还原气氛下使用,耐酸、碱腐蚀性能强,可用于煤气化化工及IGCC、PFBC煤气化发电、高温烟气、汽车尾气、水净化等各种高、低温流体过滤净化。
申请公布号 CN102633531B 申请公布日期 2014.03.05
申请号 CN201210094292.0 申请日期 2012.03.31
申请人 中国科学院金属研究所 发明人 张劲松;田冲;杨振明;曹小明
分类号 B01D69/10(2006.01)I;C04B38/06(2006.01)I;C04B35/565(2006.01)I;C04B35/632(2006.01)I;C04B35/64(2006.01)I;B01D71/02(2006.01)I 主分类号 B01D69/10(2006.01)I
代理机构 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 代理人 张志伟
主权项 一种梯度孔隙纯质碳化硅膜管,其特征在于:梯度孔隙纯质碳化硅膜管的组成为纯质SiC,由支撑体层及表面膜层构成梯度过滤结构;其中,支撑体由粗颗粒碳化硅堆积结合而成,平均孔径5‑120μm,表面膜层由细颗粒碳化硅堆积结合而成,孔径0.1‑20μm,膜管整体气孔率在25‑50%之间;所述的梯度孔隙纯质碳化硅膜管的制备方法,以粗颗粒碳化硅、氧化硅粉末或硅粉为基本材料,利用高分子材料作为结合剂,混合配料,利用冷等静压包套压制支撑体,后采用细颗粒碳化硅、硅粉或氧化硅粉末、造孔剂添加剂及有机树脂配制膜层原料,采用喷涂或浸渍方法表面制备膜层,经干燥后,烧结得到成品膜管;具体制备步骤如下:(1)支撑体成型原料准备将粗颗粒碳化硅、硅粉或氧化硅粉末、高分子材料、固化剂按质量百分比例为(80wt%‑60wt%):(20wt%‑10wt%):(20wt%‑10wt%):(1wt%‑2wt%)共混于有机溶剂中,有机溶剂含量在混合物总量的20‑30wt%之间,经机械搅拌后球磨得浆料,而后干燥粉碎得原料复合粉末;(2)支撑体成型将上述复合粉末装在等静压包套中,装填中采用机械震实,等静压包套设计尺寸、结构按设计制备,然后装入冷等静压机中,加压压力为40‑150MPa,保压时间在2‑15分钟之间,后脱去包套得到预制支撑体;(3)膜层原料准备将细颗粒碳化硅、硅粉或氧化硅粉末、高分子材料、造孔剂添加剂、固化剂按质量百分比例为(80wt%‑60wt%):(20wt%‑10wt%):(20wt%‑10wt%):(20wt%‑10wt%):(1wt%‑2wt%)共混于有机溶剂中,有机溶剂含量在50‑80wt%之间,经机械搅拌后球磨得膜层浆料;(4)表面膜层制备表面膜层采用浸渍或喷涂方法进行;(5)烧结将涂覆表面膜层后的膜管预制体在真空、氩气或其它惰性气体的保护气氛下,烧结,升温速率每分钟1‑10℃,升温至800‑1200℃,保温0.5‑1小时脱去造孔剂添加剂;后升温速率为每分钟5‑15℃,温度为:1500‑2400℃,保温0.5‑5小时,得梯度孔隙纯质碳化硅膜管;步骤(1)中,粗颗粒碳化硅粒度在50‑400μm之间,硅粉或者氧化硅粉末粒度在5‑10μm之间;高分子材料选自环氧树脂、酚醛树脂和糠醛树脂之一种或一种以上;固化剂为对甲苯磺酸、乌洛托品、草酸或柠檬酸;有机溶剂为乙醇或甲醛;步骤(3)中,细颗粒碳化硅粒度在0.5‑5μm之间,硅粉或者氧化硅粉末粒度在0.5‑20μm之间;高分子材料选自环氧树脂、酚醛树脂和糠醛树脂之一种或一种以上;固化剂为对甲苯磺酸、乌洛托品、草酸或柠檬酸;有机溶剂为乙醇或甲醛,造孔剂添加剂为纤维素或聚乙烯醇;步骤(4)中,表面膜层厚度在50‑1000μm之间。
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