半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置及其制造方法，上述半导体装置的制造方法包括提供一半导体基板；于上述半导体基板中形成一沟槽，其中上述沟槽的一底面具有一第一结晶面方向，且上述沟槽的一侧面具有一第二结晶面方向；进行一外延工艺，于上述沟槽中生长一半导体材料，其中上述外延工艺利用一蚀刻成分，且其中上述第一结晶面方向上的一第一生长速率不同于上述第二结晶面方向的一第二生长速率。本发明可改善元件性能。

主权项

一种半导体装置的制造方法，包括下列步骤：提供一半导体基板；于该半导体基板中形成一沟槽，其中该沟槽的一底面具有一第一结晶面方向，且该沟槽的一侧面具有一第二结晶面方向；以及进行一外延工艺，于该沟槽中生长一半导体材料，其中该外延工艺利用一蚀刻成分，且其中该第一结晶面方向上的一第一生长速率不同于该第二结晶面方向的一第二生长速率，其中在该外延工艺期间，该蚀刻成分禁止于该第二结晶面方向上的生长，以在该沟槽的该底面上方的一上部形成无错位缺陷的一纯单晶体，且该纯单晶体具有比基板或晶体管沟道大或小的晶格常数。