用于沟槽MOSFET的带有多个嵌入式电势传播电容性结构的终止结构及其制备方法

摘要

本发明提出了沟槽MOSFET的终止结构及其制备方法，用于终止位于带有底部漏极电极的体型半导体层上方的邻近沟槽MOSFET。体型半导体层具有一个近端体型半导体壁，承载漏极-源极电压，并将终止结构与沟槽MOSFET分开。终止结构由一个被近端体型半导体壁和远端体型半导体壁限制的氧化物填充的大型深沟槽构成。氧化物填充的大型深沟槽包括一个在体型半导体层内的大型氧化物深沟槽，以及多个嵌入式电容性结构，嵌入式电容性结构位于大型氧化物深沟槽内，并且分布在近端体型半导体壁和远端体型半导体壁之间，用于在整个空间上播散漏极-源极电压。在一个实施例中，嵌入式电容性结构包括交叉的导电嵌入式多晶半导体区以及氧化物填充的大型深沟槽的氧化物立柱，近端体型半导体壁附近的近端嵌入式多晶半导体区连接到有源上部源极区上，远端体型半导体壁附近的远端嵌入式多晶半导体区连接到远端体型半导体壁上。

主权项

一种用于沟槽MOSFET的带有多个嵌入式电势传播电容性结构的终止结构，用于终止沿一体型半导体层的顶面分布的半导体器件有源区，其特征在于，所述的体型半导体层具有一个近端体型半导体壁；所述的近端体型半导体壁将所述的终止结构与所述的半导体器件有源区分开；所述的终止结构包含一个被所述的近端体型半导体壁和一个远端体型半导体壁限制的氧化物填充的大型深沟槽构，其中所述的氧化物填充的大型深沟槽还包含：一个在所述的体型半导体层内的大型氧化物深沟槽，沟槽尺寸为TCS，沟槽深度为TCD；以及多个嵌入式电容性结构，位于所述的大型氧化物深沟槽内，并且有序分布在所述的近端体型半导体壁和所述的远端体型半导体壁之间，用于在整个空间上播散器件电压；其中所述的半导体器件有源区是一个沟槽MOSFET，该沟槽MOSFET具有位于上部的第一电极和下部的第二电极之间的漏极‑源极电压，其中所述的终止结构在水平方向上承载所述的漏极‑源极电压。