发明名称 用于MOCVD反应室的组合基座式电磁加热装置
摘要 本发明的一种用于MOCVD反应室的组合基座式电磁加热装置,包括圆柱形基座和设置在基座底部下方的电磁线圈,基座包括上下相扣合的感应产热传热基座和传热基座,感应产热传热基座位于传热基座下方,感应产热传热基座上表面中心和边缘之间设置有向下的圆环形凹槽,传热基座的下表面与感应产热传热基座的上表面相配合并贴合在一起,传热基座的上表面和感应产热传热基座下表面为相平行的平面,感应产热传热基座的热导率高于传热基座的热导率。本发明的有益效果是:本发明采用组合式基座,从而调节由基座产生的热量在基座各方向上的热传导速率,并调节衬底边缘的温度,使衬底的温度分布均匀性提高。
申请公布号 CN103614709A 申请公布日期 2014.03.05
申请号 CN201310672355.0 申请日期 2013.12.12
申请人 济南大学 发明人 李志明;李海玲
分类号 C23C16/46(2006.01)I 主分类号 C23C16/46(2006.01)I
代理机构 济南泉城专利商标事务所 37218 代理人 李桂存
主权项 一种用于MOCVD反应室的组合基座式电磁加热装置,包括圆柱形基座和设置在基座底部下方的电磁线圈,其特征在于:所述基座包括上下相扣合的感应产热传热基座和传热基座,感应产热传热基座位于传热基座下方,所述感应产热传热基座上表面中心和边缘之间设置有向下的圆环形凹槽,传热基座的下表面与感应产热传热基座的上表面相配合并贴合在一起,传热基座的上表面和感应产热传热基座下表面为相平行的平面,感应产热传热基座的热导率高于传热基座的热导率。
地址 250000 山东省济南市槐荫区济微路106号