发明名称 |
两个或多个晶元的多晶元背面堆叠 |
摘要 |
一种微电子组件100可以包括具有第一表面104和第二表面106,以及在第一表面和第二表面之间延伸的第一开口116和第二开口126的衬底102,第一开口具有在第一横切方向上延伸的长尺寸,第二开口具有在第二横切方向上延伸的较长尺寸。微电子组件100还可具有分别具有在其前表面140、157的中心区域中且分别与第一开口116和第二开口126对齐的键合焊盘142、159的第一微电子元件136和第二微电子元件153。第一微电子元件136的前表面140可以面对第一表面104,第二微电子元件153的前表面157可以面对第一微电子元件的后表面138并可突出于第一微电子元件的边缘146之外。第一微电子元件136的键合焊盘142和第二微电子元件153的键合焊盘159可以电连接至衬底102的导电元件109、111。 |
申请公布号 |
CN103620773A |
申请公布日期 |
2014.03.05 |
申请号 |
CN201280030798.3 |
申请日期 |
2012.04.19 |
申请人 |
泰塞拉公司 |
发明人 |
贝尔加桑·哈巴;韦勒·佐尼;理查德·德威特·克里斯普;伊利亚斯·穆罕默德 |
分类号 |
H01L25/065(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L25/10(2006.01)I;H01L21/98(2006.01)I |
主分类号 |
H01L25/065(2006.01)I |
代理机构 |
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 |
代理人 |
宋融冰 |
主权项 |
一种微电子组件,包括:衬底,所述衬底具有分别限定在第一横切方向和第二横切方向上延伸的各个平面的第一表面和第二表面,以及在所述第一表面和第二表面之间延伸的第一开口和第二开口,所述第一开口具有在所述第一方向上延伸的长尺寸,所述第二开口具有在所述第二方向上延伸的长尺寸,所述第一开口和第二开口的长尺寸具有比所述第一开口和第二开口的短尺寸长的长度,所述第一开口和第二开口的短尺寸分别在所述第二方向和所述第一方向上延伸;第一微电子元件,所述第一微电子元件具有面对所述第一表面的前表面,远离所述前表面的后表面,相对的第一边缘和第二边缘,在所述第一边缘和第二边缘之间的方向上延伸并且在所述前表面和后表面之间延伸的第三边缘,以及在所述前表面的中心区域内且与所述第一开口对齐的键合焊盘,所述中心区域延伸所述第一边缘和所述第二边缘之间的距离的中间三分之一;以及第二微电子元件,所述第二微电子元件具有面对所述第一微电子元件的后表面并且突出于所述第一微电子元件的第三边缘之外的前表面,以及在所述第二微电子元件的前表面的中心区域内且与所述第二开口对齐的键合焊盘,所述中心区域延伸所述第二微电子元件的相对的第一边缘和第二边缘之间的距离的中间三分之一,其中所述第一微电子元件和第二微电子元件的键合焊盘电连接至所述衬底的导电元件。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |